IDW10G65C5XKSA1 Prezos (USD) [16611unidades de stock]
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- Número de peza:
- IDW10G65C5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3. Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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IDW10G65C5XKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IDW10G65C5XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3
Serie :
CoolSiC™
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
650V
Actual - Media rectificada (Io) :
10A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.7V @ 10A
Velocidade :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
0ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
180µA @ 650V
Capacitancia @ Vr, F :
300pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-247-3
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO247-3
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C
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