Vishay Semiconductor Diodes Division - VFT1080S-E3/4W

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Número de peza:
VFT1080S-E3/4W
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE SCHOTTKY 10A 80V ITO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,80V,Trench
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Unión programable, Diodos - Rectificadores - Arrays and Tiristores: SCRs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VFT1080S-E3/4W Atributos do produto

Número de peza : VFT1080S-E3/4W
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE SCHOTTKY 10A 80V ITO-220AB
Serie : TMBS®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 80V
Actual - Media rectificada (Io) : 10A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 810mV @ 10A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 600µA @ 80V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Paquete de dispositivos de provedores : ITO-220AB
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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