Número de peza :
VS-GB200TH120N
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK
Configuración :
Half Bridge
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
360A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.35V @ 15V, 200A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
14.9nF @ 25V
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Double INT-A-PAK (3 + 4)
Paquete de dispositivos de provedores :
Double INT-A-PAK