Infineon Technologies - IRF3710SPBF

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Número de peza:
IRF3710SPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Tiristores: SCRs, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Finalidade especial and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF3710SPBF Atributos do produto

Número de peza : IRF3710SPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Serie : HEXFET®
Estado da parte : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 57A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3130pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 200W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : D2PAK
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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