Diodes Incorporated - DMPH4013SK3-13

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DMPH4013SK3-13 Prezos (USD) [174222unidades de stock]

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Número de peza:
DMPH4013SK3-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrición detallada:
MOSFET BVDSS 31V-40V TO252 TR.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unión programable, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores: SCRs and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMPH4013SK3-13 Atributos do produto

Número de peza : DMPH4013SK3-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrición : MOSFET BVDSS 31V-40V TO252 TR
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 55A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 67nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 4004pF @ 20V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 2.1W (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : TO-252, (D-Pak)
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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