Vishay Siliconix - SQ3461EV-T1_GE3

KEY Part #: K6411793

SQ3461EV-T1_GE3 Prezos (USD) [295523unidades de stock]

  • 1 pcs$0.12516

Número de peza:
SQ3461EV-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Tiristores: SCRs, Diodos - Zener - Single, Módulos de controlador de enerxía, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - IGBTs - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SQ3461EV-T1_GE3 electronic components. SQ3461EV-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ3461EV-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ3461EV-T1_GE3 Atributos do produto

Número de peza : SQ3461EV-T1_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 8A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 28nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2000pF @ 6V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 5W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 6-TSOP
Paquete / Estuche : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6