NTP8G202NG Prezos (USD) [2705unidades de stock]
- 1 pcs$11.09140
- 10 pcs$10.25885
- 100 pcs$8.76156
- Número de peza:
- NTP8G202NG
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 9A TO220.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
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NTP8G202NG Atributos do produto
Número de peza :
NTP8G202NG
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 500µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
9.3nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
760pF @ 400V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
65W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220-3
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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