Infineon Technologies - IPB100N10S305ATMA1

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IPB100N10S305ATMA1 Prezos (USD) [48385unidades de stock]

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Número de peza:
IPB100N10S305ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB100N10S305ATMA1 Atributos do produto

Número de peza : IPB100N10S305ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Serie : OptiMOS™
Estado da parte : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 100A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 240µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 176nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 11570pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO263-3-2
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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