IXTH6N80A Prezos (USD) [10759unidades de stock]
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- 30 pcs$4.40509
- Número de peza:
- IXTH6N80A
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 800V 6A TO-247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
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IXTH6N80A Atributos do produto
Número de peza :
IXTH6N80A
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 800V 6A TO-247
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2800pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
180W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247 (IXTH)
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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