IPP80N06S2L11AKSA2 Prezos (USD) [92356unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPP80N06S2L11AKSA2
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Diodos - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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IPP80N06S2L11AKSA2 Atributos do produto
Número de peza :
IPP80N06S2L11AKSA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
55V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.7 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 93µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
80nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2075pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
158W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO220-3-1
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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