Vishay Siliconix - SIS822DNT-T1-GE3

KEY Part #: K6393433

SIS822DNT-T1-GE3 Prezos (USD) [771437unidades de stock]

  • 1 pcs$0.04795

Número de peza:
SIS822DNT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - JFETs ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SIS822DNT-T1-GE3 electronic components. SIS822DNT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS822DNT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS822DNT-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SIS822DNT-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 12A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 435pF @ 15V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 15.6W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® 1212-8
Paquete / Estuche : PowerPAK® 1212-8