IXYS - IXFJ20N85X

KEY Part #: K6394054

IXFJ20N85X Prezos (USD) [10022unidades de stock]

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Número de peza:
IXFJ20N85X
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFJ20N85X Atributos do produto

Número de peza : IXFJ20N85X
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247
Serie : HiPerFET™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 850V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 9.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1660pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 110W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : ISO TO-247-3
Paquete / Estuche : TO-247-3

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