IXFJ20N85X Prezos (USD) [10022unidades de stock]
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- 10 pcs$4.06854
- 100 pcs$3.34518
- 500 pcs$2.80270
- Número de peza:
- IXFJ20N85X
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Unión programable ...
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IXFJ20N85X Atributos do produto
Número de peza :
IXFJ20N85X
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247
Serie :
HiPerFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
850V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 2.5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
63nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1660pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
110W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
ISO TO-247-3
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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