Número de peza :
SI8429DB-T1-E1
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
8V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11.7A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
26nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1640pF @ 4V
Disipación de potencia (máx.) :
2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
4-Microfoot
Paquete / Estuche :
4-XFBGA, CSPBGA