Número de peza :
IXFN32N80P
Descrición :
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
29A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
270 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 8mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
150nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
8820pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
625W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-227B
Paquete / Estuche :
SOT-227-4, miniBLOC