STFI260N6F6 Prezos (USD) [17512unidades de stock]
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- 10 pcs$1.97786
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- 500 pcs$1.31330
- 1,000 pcs$1.05080
- Número de peza:
- STFI260N6F6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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STFI260N6F6 Atributos do produto
Número de peza :
STFI260N6F6
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
Serie :
DeepGATE™, STripFET™ VI
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
183nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
11400pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
41.7W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
I2PAKFP (TO-281)
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
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