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- Número de peza:
- STSJ100NHS3LL
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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STSJ100NHS3LL Atributos do produto
Número de peza :
STSJ100NHS3LL
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC
Serie :
STripFET™ III
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
100A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
35nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4200pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3W (Ta), 70W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOIC-EP
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
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