DMN3016LDN-13 Prezos (USD) [462518unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMN3016LDN-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Transistores - Unión programable, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: SCRs, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - JFETs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN3016LDN-13 electronic components. DMN3016LDN-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3016LDN-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN3016LDN-13 Atributos do produto
Número de peza :
DMN3016LDN-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
-
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
11.3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1415pF @ 15V
Potencia: máx :
-
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivos de provedores :
V-DFN3030-8 (Type J)
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- 2N7002PS,125
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