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- Número de peza:
- IXFR26N50Q
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in IXYS IXFR26N50Q electronic components. IXFR26N50Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR26N50Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFR26N50Q Atributos do produto
Número de peza :
IXFR26N50Q
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
Serie :
HiPerFET™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
500V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
24A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
95nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3900pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
250W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
ISOPLUS247™
Paquete / Estuche :
ISOPLUS247™
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