Infineon Technologies - IRFHM831TRPBF

KEY Part #: K6404189

[2097unidades de stock]


    Número de peza:
    IRFHM831TRPBF
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 30V 14A PQFN.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - Finalidade especial ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFHM831TRPBF Atributos do produto

    Número de peza : IRFHM831TRPBF
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrición : MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
    Serie : HEXFET®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 14A (Ta), 40A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.8 mOhm @ 12A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 16nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1050pF @ 25V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 2.5W (Ta), 27W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : PQFN (3x3)
    Paquete / Estuche : 8-PowerTDFN

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