Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
70pF @ 50V
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivos de provedores :
SuperSOT™-6