FDP053N08B-F102 Prezos (USD) [91746unidades de stock]
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- Número de peza:
- FDP053N08B-F102
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 80V 75A TO-220.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
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FDP053N08B-F102 Atributos do produto
Número de peza :
FDP053N08B-F102
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 80V 75A TO-220
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
75A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
85nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5960pF @ 40V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
146W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220-3
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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