STW9N80K5 Prezos (USD) [52806unidades de stock]
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- Número de peza:
- STW9N80K5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: TRIAC, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STW9N80K5 electronic components. STW9N80K5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW9N80K5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STW9N80K5 Atributos do produto
Número de peza :
STW9N80K5
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO247
Serie :
MDmesh™ K5
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
7A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
340pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
110W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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