Vishay Siliconix - SI7840BDP-T1-GE3

KEY Part #: K6392846

SI7840BDP-T1-GE3 Prezos (USD) [93995unidades de stock]

  • 1 pcs$0.41807
  • 3,000 pcs$0.41599

Número de peza:
SI7840BDP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unión programable and Transistores - IGBTs - Single ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SI7840BDP-T1-GE3 electronic components. SI7840BDP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7840BDP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7840BDP-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SI7840BDP-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 11A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 21nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : -
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1.8W (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche : PowerPAK® SO-8

Tamén pode estar interesado