FQB27N25TM-F085 Prezos (USD) [40796unidades de stock]
- 1 pcs$0.95843
- Número de peza:
- FQB27N25TM-F085
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Finalidade especial, Tiristores: TRIAC, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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FQB27N25TM-F085 Atributos do produto
Número de peza :
FQB27N25TM-F085
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
250V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
25.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
131 mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
49nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1800pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
417W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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