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- Número de peza:
- IRFSL17N20D
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 16A TO-262.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFSL17N20D electronic components. IRFSL17N20D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFSL17N20D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFSL17N20D Atributos do produto
Número de peza :
IRFSL17N20D
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
16A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
50nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1100pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.8W (Ta), 140W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-262
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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