STMicroelectronics - STGW60H65F

KEY Part #: K6422822

STGW60H65F Prezos (USD) [10911unidades de stock]

  • 1 pcs$3.77680
  • 10 pcs$3.41234
  • 100 pcs$2.82520

Número de peza:
STGW60H65F
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrición detallada:
IGBT 650V 120A 360W TO247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Tiristores: SCRs and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGW60H65F Atributos do produto

Número de peza : STGW60H65F
Fabricante : STMicroelectronics
Descrición : IGBT 650V 120A 360W TO247
Serie : -
Estado da parte : Obsolete
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 650V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 120A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) : 240A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 60A
Potencia: máx : 360W
Enerxía de conmutación : 750µJ (on), 1.05mJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga de porta : 217nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C : 65ns/180ns
Condición da proba : 400V, 60A, 10 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : TO-247-3
Paquete de dispositivos de provedores : TO-247