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- Número de peza:
- SIB419DK-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Finalidade especial and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIB419DK-T1-GE3 electronic components. SIB419DK-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIB419DK-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIB419DK-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIB419DK-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
11.82nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
562pF @ 6V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.45W (Ta), 13.1W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® SC-75-6L Single
Paquete / Estuche :
PowerPAK® SC-75-6L
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