Vishay Semiconductor Diodes Division - MURS360HE3_A/H

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Número de peza:
MURS360HE3_A/H
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB. Rectifiers 3.0 Amp 600V 50ns 35 Amp IFSM
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURS360HE3_A/H Atributos do produto

Número de peza : MURS360HE3_A/H
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 600V
Actual - Media rectificada (Io) : 3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.28V @ 4A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 75ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 3V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-214AB, SMC
Paquete de dispositivos de provedores : DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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