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- Número de peza:
- SMMB911DK-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6L.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Finalidade especial and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SMMB911DK-T1-GE3 electronic components. SMMB911DK-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SMMB911DK-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SMMB911DK-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SMMB911DK-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6L
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
295 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
4nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
115pF @ 10V
Potencia: máx :
3.1W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® SC-75-6L Dual
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