Microsemi Corporation - APT22F120B2

KEY Part #: K6408984

APT22F120B2 Prezos (USD) [438unidades de stock]

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Número de peza:
APT22F120B2
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Finalidade especial and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT22F120B2 Atributos do produto

Número de peza : APT22F120B2
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrición : MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX
Serie : POWER MOS 8™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 23A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 8370pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1040W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : T-MAX™ [B2]
Paquete / Estuche : TO-247-3 Variant

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