BSZ110N06NS3GATMA1 Prezos (USD) [296365unidades de stock]
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- Número de peza:
- BSZ110N06NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores: TRIAC, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSZ110N06NS3GATMA1 electronic components. BSZ110N06NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ110N06NS3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSZ110N06NS3GATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSZ110N06NS3GATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
20A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 23µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2700pF @ 30V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.1W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TSDSON-8
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN
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