Número de peza :
BSZ110N06NS3GATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
20A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 23µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
33nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2700pF @ 30V
Disipación de potencia (máx.) :
2.1W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TSDSON-8
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN