TK100E06N1,S1X Prezos (USD) [37408unidades de stock]
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- Número de peza:
- TK100E06N1,S1X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N CH 60V 100A TO-220.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - RF ...
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TK100E06N1,S1X Atributos do produto
Número de peza :
TK100E06N1,S1X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Serie :
U-MOSVIII-H
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
100A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
140nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
10500pF @ 30V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
255W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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