IXFN210N30X3 Prezos (USD) [2713unidades de stock]
- 1 pcs$15.96532
- Número de peza:
- IXFN210N30X3
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- FET N-CHANNEL.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: TRIAC, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IXFN210N30X3 Atributos do produto
Número de peza :
IXFN210N30X3
Fabricante :
IXYS
Descrición :
FET N-CHANNEL
Serie :
HiPerFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
300V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
210A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.6 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 8mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
375nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
24200pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
695W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-227B
Paquete / Estuche :
SOT-227-4, miniBLOC
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