SI8441DB-T2-E1 Prezos (USD) [151819unidades de stock]
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- Número de peza:
- SI8441DB-T2-E1
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI8441DB-T2-E1 electronic components. SI8441DB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8441DB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI8441DB-T2-E1 Atributos do produto
Número de peza :
SI8441DB-T2-E1
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
10.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
13nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
600pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Paquete / Estuche :
6-UFBGA
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