BYG21KHE3_A/I Prezos (USD) [606690unidades de stock]
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- Número de peza:
- BYG21KHE3_A/I
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214. Rectifiers 1.5A,800V,120NS,AVAL AEC-Q101 Qualified
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG21KHE3_A/I electronic components. BYG21KHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG21KHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG21KHE3_A/I Atributos do produto
Número de peza :
BYG21KHE3_A/I
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Avalanche
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
800V
Actual - Media rectificada (Io) :
1.5A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.6V @ 1.5A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
120ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
1µA @ 800V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AC, SMA
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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