STMicroelectronics - STW42N60M2-EP

KEY Part #: K6401203

STW42N60M2-EP Prezos (USD) [8372unidades de stock]

  • 1 pcs$4.60531
  • 10 pcs$4.14478
  • 100 pcs$3.40793
  • 500 pcs$2.85530

Número de peza:
STW42N60M2-EP
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 34A EP TO247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Diodos - Zener - Single ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in STMicroelectronics STW42N60M2-EP electronic components. STW42N60M2-EP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW42N60M2-EP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW42N60M2-EP Atributos do produto

Número de peza : STW42N60M2-EP
Fabricante : STMicroelectronics
Descrición : MOSFET N-CH 600V 34A EP TO247
Serie : MDmesh™ M2-EP
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 34A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 87 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.75V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2370pF @ 100V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 250W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-247
Paquete / Estuche : TO-247-3