Global Power Technologies Group - GP1M009A020PG

KEY Part #: K6402689

[2617unidades de stock]


    Número de peza:
    GP1M009A020PG
    Fabricante:
    Global Power Technologies Group
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 200V 9A IPAK.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Zener - Arrays ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP1M009A020PG Atributos do produto

    Número de peza : GP1M009A020PG
    Fabricante : Global Power Technologies Group
    Descrición : MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 200V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 9A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 4.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 8.6nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±30V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 414pF @ 25V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 52W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Through Hole
    Paquete de dispositivos de provedores : I-PAK
    Paquete / Estuche : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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