NVD4810NT4G-VF01 Prezos (USD) [283260unidades de stock]
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- Número de peza:
- NVD4810NT4G-VF01
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 54A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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NVD4810NT4G-VF01 Atributos do produto
Número de peza :
NVD4810NT4G-VF01
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 54A DPAK
Serie :
-
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9A (Ta), 54A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1350pF @ 12V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.4W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DPAK
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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