Número de peza :
IPB085N06L G
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 125µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
104nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3500pF @ 30V
Disipación de potencia (máx.) :
188W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO263-3-2
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB