RS1E200BNTB Prezos (USD) [494560unidades de stock]
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- Número de peza:
- RS1E200BNTB
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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RS1E200BNTB Atributos do produto
Número de peza :
RS1E200BNTB
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
20A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
59nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3100pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-HSOP
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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