TK560A65Y,S4X Prezos (USD) [66799unidades de stock]
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- Número de peza:
- TK560A65Y,S4X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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TK560A65Y,S4X Atributos do produto
Número de peza :
TK560A65Y,S4X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Serie :
DTMOSV
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
7A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
560 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 240µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
14.5nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
380pF @ 300V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
30W
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220SIS
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack
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