IXYS - IXFN82N60P

KEY Part #: K6398264

IXFN82N60P Prezos (USD) [3219unidades de stock]

  • 1 pcs$14.12602
  • 10 pcs$13.06738
  • 25 pcs$12.00799
  • 100 pcs$11.16029
  • 250 pcs$10.24204

Número de peza:
IXFN82N60P
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos: rectificadores de ponte ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in IXYS IXFN82N60P electronic components. IXFN82N60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN82N60P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN82N60P Atributos do produto

Número de peza : IXFN82N60P
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
Serie : PolarHV™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 72A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 240nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 23000pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1040W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-227B
Paquete / Estuche : SOT-227-4, miniBLOC