SIA813DJ-T1-GE3 Prezos (USD) [262736unidades de stock]
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- Número de peza:
- SIA813DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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SIA813DJ-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIA813DJ-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
Serie :
LITTLE FOOT®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
94 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
13nC @ 8V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
355pF @ 10V
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete / Estuche :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
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