IRFB31N20DPBF Prezos (USD) [38966unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRFB31N20DPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
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IRFB31N20DPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFB31N20DPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
31A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
82 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
107nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2370pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.1W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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