Vishay Siliconix - SIZ346DT-T1-GE3

KEY Part #: K6523027

SIZ346DT-T1-GE3 Prezos (USD) [316935unidades de stock]

  • 1 pcs$0.11670

Número de peza:
SIZ346DT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: TRIAC, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZ346DT-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SIZ346DT-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
Serie : PowerPAIR®, TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Función FET : Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 17A (Tc), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28.5 mOhm @ 10A, 10V, 11.5 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Potencia: máx : 16W, 16.7W
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 8-PowerWDFN
Paquete de dispositivos de provedores : 8-Power33 (3x3)

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