NRVUA110VT3G Prezos (USD) [447277unidades de stock]
- 1 pcs$0.08726
- 5,000 pcs$0.08683
- Número de peza:
- NRVUA110VT3G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 100V 2A SMA. Rectifiers REC SMA 1A 100V ULTFST
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
- Ventaxa competitiva:
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NRVUA110VT3G Atributos do produto
Número de peza :
NRVUA110VT3G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 2A SMA
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
2A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
875mV @ 1A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
30ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
2µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AC, SMA
Paquete de dispositivos de provedores :
SMA
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 175°C
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