SUG90090E-GE3 Prezos (USD) [30741unidades de stock]
- 1 pcs$1.34066
- 500 pcs$1.27105
- Número de peza:
- SUG90090E-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: TRIAC, Tiristores: DIACs, SIDACs and Diodos - Zener - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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SUG90090E-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SUG90090E-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Serie :
ThunderFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
100A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
129nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5220pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
395W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247AC
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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