TK4R4P06PL,RQ Prezos (USD) [146492unidades de stock]
- 1 pcs$0.25249
- Número de peza:
- TK4R4P06PL,RQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores: TRIAC, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos and Tiristores - SCRs - Módulos ...
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TK4R4P06PL,RQ Atributos do produto
Número de peza :
TK4R4P06PL,RQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
Serie :
U-MOSIX-H
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
58A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.4 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 500µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
48.2nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3280pF @ 30V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
87W (Tc)
Temperatura de operación :
175°C
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DPAK
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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