Renesas Electronics America - RJK6002DPH-E0#T2

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Número de peza:
RJK6002DPH-E0#T2
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 2A TO251.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJK6002DPH-E0#T2 Atributos do produto

Número de peza : RJK6002DPH-E0#T2
Fabricante : Renesas Electronics America
Descrición : MOSFET N-CH 600V 2A TO251
Serie : -
Estado da parte : Last Time Buy
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 2A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 6.2nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 165pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 30W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-251
Paquete / Estuche : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA