Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 600V 1.7A AXIAL
Estado da parte :
Obsolete
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
600V
Actual - Media rectificada (Io) :
1.7A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.05V @ 1.7A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 600V
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
Axial
Paquete de dispositivos de provedores :
-
Temperatura de funcionamento: unión :
150°C (Max)